硅棒晶棒晶錠BCT400少子壽命測(cè)試儀

是基于渦流傳感器和紅外光致光電導(dǎo)方法直接測(cè)量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設(shè)備，具有瞬態(tài)和準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)兩種測(cè)量模式。該設(shè)備可探測(cè)3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實(shí)現(xiàn)低電阻率硅單晶少子壽命測(cè)量，并能通過軟件端光強(qiáng)偏置實(shí)現(xiàn)單晶缺陷密度計(jì)算

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更新時(shí)間：2026-02-07
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用途（高頻光電導(dǎo)）

用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，除需要有一個(gè)測(cè)量平面外，對(duì)樣塊

體形無嚴(yán)格要求，可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體

內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。

2.設(shè)備組成

2.1光脈沖發(fā)生裝置

重復(fù)頻率＞25次/s 脈寬＞60μｓ光脈沖關(guān)斷時(shí)間＜1μｓ

紅外光源波長：1.06～1.09μm（測(cè)量硅單晶）脈沖電流：5A～20A

測(cè)量系統(tǒng)不需要做表面鈍化就能直接測(cè)量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命.
是基于渦流傳感器和紅外光致光電導(dǎo)方法直接測(cè)量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設(shè)備，具有瞬態(tài)和準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)兩種測(cè)量模式。該設(shè)備可探測(cè)3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實(shí)現(xiàn)低電阻率硅單晶少子壽命測(cè)量，并能通過軟件端光強(qiáng)偏置實(shí)現(xiàn)單晶缺陷密度計(jì)算。

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