產(chǎn)品描述：

霍爾遷移率測試儀主要利用微波測試原理，非接觸式測量射頻HEMT結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的方阻、遷移率及載流子濃度?？蓪崿F(xiàn)單點測試，亦可以實現(xiàn)面掃描的測試功能，具有快速，無損，準(zhǔn)確等優(yōu)勢，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測及質(zhì)量控制。

特點：

霍爾遷移率測試儀適用于遷移率量測范圍在100cm2/V · s～3000cm2/V · s的射頻HEMT外延片。非接觸，非損傷測試，具有測試速度快，

重復(fù)性佳，測試敏感性高，可以直接測試產(chǎn)品片等優(yōu)點。

技術(shù)參數(shù)：

微波-霍爾法測試半導(dǎo)體方阻及載流子遷移率的原理

原理：

利用微波源發(fā)射微波通過波導(dǎo)將微波傳輸至測試樣品表面，在磁場作用下具有不同遷移率的樣品對微波的反射效果不同，通過探測反射的微波功率再將其轉(zhuǎn)化為對應(yīng)的電導(dǎo)張量，從而建立模型可以計算出HEMT 結(jié)構(gòu)的載流子濃度和遷移率。

微波-霍爾法測試半導(dǎo)體方阻核心算法相關(guān)性

對應(yīng)信號和方阻值得擬合曲線，如下圖所示：

遷移率Mapping5點測試報告

非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀，方阻測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀，遷移率（霍爾）測試儀，少子壽命測試儀，晶圓、硅片厚度測試儀，表面光電壓儀JPV\SPV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、氧化鎵、襯底和外延廠商提供測試和解決方案。

憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線，已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商，產(chǎn)品得到眾多國內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可，并取得良好的市場口碑。主要應(yīng)用領(lǐng)域：碳化硅測試、氮化鎵測試、晶圓硅片測試、氧化鎵測試、襯底和外延廠商、光伏電池片測試。

霍爾遷移率（Hall mobility）是指Hall系數(shù)RH與電導(dǎo)率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱, 故特別稱為Hall遷移率。表示為μH =│RH│σ。