晶圓方阻測(cè)試儀供應(yīng)商專注于非接觸式半導(dǎo)體計(jì)量分析技術(shù)的開發(fā)和生產(chǎn)，攻克被國(guó)外卡脖子技術(shù)。

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、科研以及平板材料測(cè)試領(lǐng)域。借助公司*計(jì)量分析測(cè)試技術(shù)，為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測(cè)試等生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控，提供一整套完整測(cè)試和解決方案。

晶圓電阻率測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀，方塊電阻有一個(gè)特性，即任意大小的正方形測(cè)量值都是一樣的，不管邊長(zhǎng)是1米還是0.1米，它們的方阻都是一樣，這樣方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度等因素有關(guān)，表征膜層致密性，同時(shí)表征對(duì)熱紅外光譜的透過(guò)能力，方塊電阻測(cè)量數(shù)值愈大，則隔離熱紅外性能越差，方塊電阻測(cè)量數(shù)值愈小則隔離熱紅外性能越好，對(duì)于建筑行業(yè)來(lái)講低輻射玻璃的熱紅外性能測(cè)量的快速測(cè)量就必須選用方塊電阻測(cè)量?jī)x，測(cè)量值愈小則建筑材料就愈節(jié)能，在建筑材料行業(yè)具有很大的作用。

晶圓方阻測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)：

樣品尺寸：2"-8"或者16mm×16mm的方形樣品；

遷移率測(cè)量范圍：100-20000（cm2/v.sec)；

方塊電阻測(cè)量范圍：100-3000（ohm/sq)；

載流子面密度測(cè)量范圍：1E11-1E14（cm-2）；

電磁鐵磁場(chǎng)強(qiáng)度：1.0T；

探頭線圈直徑：15mm。